محاثات مرشح البلورات النانوية غير المتبلورة

بكالوريوس (ت)

1.2

هك (أ / م)

<2

ح (°C)

570

تكساس (درجة مئوية)

500

عامل التصفيح

>0.75

سمك  (مم)

0.020~0.035

φs

<2×10-6

درجة حرارة العمل

-40~130

μi(عالية Br،0.8T)

180,000

ميكروي (متوسط ​​بر، 0.4 طن)

100.000

μi(منخفض البروم،0.1T)

30.000

الخسارة P(400 هرتز، 1.0T)،(وات/كجم)

<1.5

الخسارة P(5 كيلو هرتز، 1.0T)،(وات/كجم)

<15

الخسارة P(20 كيلو هرتز، 0.5T)،(وات/كجم)

<25

الخسارة P(100 كيلو هرتز، 0.2T)،(وات/كجم)

<70

رقم المنتج

أسلوب

في

المنعطفات

قطر السلك

إل إن

المواصفات الأساسية

10 كيلو هرتز

(ملي هرتز)

100 كيلو هرتز

(ملي هرتز)

EHC-GM02-SP151

على مرحلة واحدة

2

16

0.55*1ف

8.0

1.7

15*10*6

EHC-GM05-SP152

على مرحلة واحدة

5

10

0.9*1ف

2.9

0.6

15*10*6

EHC-GM05-SP201

على مرحلة واحدة

5

13

0.9*1ف

9.0

1.8

20*12*8

EHC-GM08-SP203

على مرحلة واحدة

8

10

1.15*1ف

5.8

1.2

20*12*8

EHC-GM10-SP251

على مرحلة واحدة

10

16

1.25*1ف

7.8

1.6

25*20*10

EHC-GM12-SP252

على مرحلة واحدة

12

11

1.4*1P

7.5

1.6

25*16*10

EHC-GM15-SP301

على مرحلة واحدة

15

13

1.55*1ف

9.5

1.9

30*20*10

EHC-GM20-SP321

على مرحلة واحدة

20

11

1.8*1ف

7.5

1.6

32*20*10

EHC-GM25-SP331

على مرحلة واحدة

25

9

1.4*2ف

6

1.2

33*23*15

EHC-GM30-SP401

على مرحلة واحدة

30

11

1.8*2ف

5

1.1

40*32*15

EHC-GM30-TP402

ثلاثي الطور

30

7

2.0*1P

2.2

0.45

40*32*15

EHC-GM40-SP501

على مرحلة واحدة

40

9

2.24*2P

4.0

1.0

50*40*20

EHC-GM40-TP502

ثلاثي الطور

40

7

2.24*2P

2.5

0.55

50*40*20

EHC-GM60-SP502

على مرحلة واحدة

60

9

2.8*2ف

6.0

1.5

65*50*25

EHC-GM60-TP502

ثلاثي الطور

60

6

2.8*2ف

2.8

0.65

65*50*25